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真空科学与技术学报
VACIJIJMSCIENCEANDTECHNOLOGY
第29卷第2期
2009年3、4月
工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构
及力学性能的影响
了建宁1.2郄宏山1。
袁宁—2何宇亮’程广贵1范粪1潘海彬‘王君雄1王秀琴2
(1.江苏大学微纳米科学技术研究中心镇江212013;2.江苏工业学院常州213016)
InfluenceoftheDepositionParameters
and
Oil
the
Microstructure
MechanicalPropertiesofB—dopednc-Si:ItFilms
oi.g眙删《一,Qi
I-Iongshan!’,Yuan
9
l鼙ingyi2,lie叫,
Jll瞅i耐,Wang
Xiuq秆
w坝B目townbyplasmaenhanced
Cheng
Guan倒i1,Fan
(1。CenteroyM/croand
2..//an觯PorCh,at确嘲,盘峨赫船213016,踟m)
microscopy(AFlVl)and
NⅢ.10龇andTedmo/ogy,A嘲即Un/t,er嘶,zjl咖212013,Oh/ha;
nar脱rystallinesilicon(nc-Si:It)fdms
mierostrueturesandmechanicalpropertiesofthe
ZhenlPanHaibinl,Wang
Abstract
ehemiealvapor
Theboron—dopedhydrogemtd
搬蚴speettvse,opy,atomic
medmieal
deposition(PEcVD)。The
force
films燃characterized
with
growthconditions,includingthesqbstrate
texture,RF
he
conventionalmechanicalprobes.Theinfluence0fltlllJOIlSfilm
power,and锄r嘲ljngtemperatu/e,Oilitsmieroslrueturesand
propertieswasstudied。Theresultsshowthatthefilmsgrowthconditionsstronglyaffectthemierostrueturesof
thefilms+Forimtanee,鼬theml够tratetemperaturerisesup,the
average疹蜘sizeincrea蝴;annealing
l=ollgheil8thesurfaces甜theB-d卵edandthecontrolsamples,andimprovesthemechanical
plop抵of
s锄啦
the8-_【looed
films。Wefound
thatthedepositionrate
c8n
op"tlm蒯at
8
certainItFpower。Possiblefilm零辨睡medmim撼were
tentativelydiscussed.
Keywords
rlN3一Si:Hml瑙。Boron-doped,Elasticmodulus,Annealing,舭M
摘要采用射额和直流偏压(RF+DC)双薰激励源,在等离子体增强化学气稳沉积(PEC、街)系统中成功制备了掺硼缡米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和遐火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(R—一)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(肘M)对掺硼缡米硅薄膜的微结搀进行了分柝;应用纳米联痕法研究了王艺条件聪薄膜弹性模囊及硬度等力学性能的影嚷关系。绩果表
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