工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响

 
工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响

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a删慨JolIIiN^l。OF

真空科学与技术学报

VACIJIJMSCIENCEANDTECHNOLOGY

第29卷第2期

2009年3、4月

工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构

及力学性能的影响

了建宁1.2郄宏山1。

袁宁—2何宇亮’程广贵1范粪1潘海彬‘王君雄1王秀琴2

(1.江苏大学微纳米科学技术研究中心镇江212013;2.江苏工业学院常州213016)

InfluenceoftheDepositionParameters

and

Oil

the

Microstructure

MechanicalPropertiesofB—dopednc-Si:ItFilms

oi.g眙删《一,Qi

I-Iongshan!’,Yuan

l鼙ingyi2,lie叫,

Jll瞅i耐,Wang

Xiuq秆

w坝B目townbyplasmaenhanced

Cheng

Guan倒i1,Fan

(1。CenteroyM/croand

2..//an觯PorCh,at确嘲,盘峨赫船213016,踟m)

microscopy(AFlVl)and

NⅢ.10龇andTedmo/ogy,A嘲即Un/t,er嘶,zjl咖212013,Oh/ha;

nar脱rystallinesilicon(nc-Si:It)fdms

mierostrueturesandmechanicalpropertiesofthe

ZhenlPanHaibinl,Wang

Abstract

ehemiealvapor

Theboron—dopedhydrogemtd

搬蚴speettvse,opy,atomic

medmieal

deposition(PEcVD)。The

force

films燃characterized

with

growthconditions,includingthesqbstrate

texture,RF

he

conventionalmechanicalprobes.Theinfluence0fltlllJOIlSfilm

power,and锄r嘲ljngtemperatu/e,Oilitsmieroslrueturesand

propertieswasstudied。Theresultsshowthatthefilmsgrowthconditionsstronglyaffectthemierostrueturesof

thefilms+Forimtanee,鼬theml够tratetemperaturerisesup,the

average疹蜘sizeincrea蝴;annealing

l=ollgheil8thesurfaces甜theB-d卵edandthecontrolsamples,andimprovesthemechanical

plop抵of

s锄啦

the8-_【looed

films。Wefound

thatthedepositionrate

c8n

op"tlm蒯at

certainItFpower。Possiblefilm零辨睡medmim撼were

tentativelydiscussed.

Keywords

rlN3一Si:Hml瑙。Boron-doped,Elasticmodulus,Annealing,舭M

摘要采用射额和直流偏压(RF+DC)双薰激励源,在等离子体增强化学气稳沉积(PEC、街)系统中成功制备了掺硼缡米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和遐火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(R—一)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(肘M)对掺硼缡米硅薄膜的微结搀进行了分柝;应用纳米联痕法研究了王艺条件聪薄膜弹性模囊及硬度等力学性能的影嚷关系。绩果表

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