工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响(2)

鞠：薄膜鑫态授：、平均磊被大小疆着章雩底疆度的升高均有增大趋势；射凝功率对提薅薄膜生长速率存在簸傀值条释；邋必对本

征和掺硼薄膜表面形貌特征有较大影响，退火詹掺硼薄膜表面租糙度增大明显。薄膜弹性模德及硬度很大程度上受射频功率和后序处理条件的影噙。退火使薄膜的力学性能有所提高。针对实验现象，从薄膜结构方蕊进行了相关的理论阐释。

关键谰纳米硅薄膜掺硼弹毪模量退火ＡＦｌＶＩ

中圈分类号：０４８４．１

文献标识码：Ａ

文章编号：１６７２＿７１２６（２００９）０２－１８８－０６

１９６８年Ｖｅｐｒｅｋ秘ｒｄａｒｅｅｅｋ善次摄导了氢化缡零硅材料【ｌＪｌ。１９７９年Ｕｓｕｉ和Ｋｉｋｕｅｈｉ在衬底温度为３００℃的条件下，利用辉光放电解离硅烷成功制备了ｎ蝥绒米穗薄膜疆』。在国蠹鹰字亮课题组最早透纷了这方面的探索￡３】。研究发现：纳米硅薄膜由占体积百分比约５０％的细微晶粒（２ｍｎ—ｌＯｒｍａ）和５０％的

收稿日期：２００８－０３－０３

晶阕无序界甏构成，这种特臻灼结镌使褥缡洙硅薄膜舆有一系列新颖的物性，如较强的光吸收镌力、高的室温电导率、稳定的光电性能、较大的压阻系数等［４－７ｌ。利露其优良酶物理性能，人饲已成凌舞发了如发光二极错【８ｊ，隧道二极管吲，太阳电池【ｉ０１，薄膜晶体管…１１等光电器件。目前本课题组尝试利用

纂金项目：江苏省。六大人才高峰”资助项目（Ｎｏ．０６－１）４１２２）

＊联系人：Ｅ－ｍａｉｈｑｌｓｌ０３＠１２６．ｃｏｉｎ

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