93含量及其分布对CIGS太阳电池性能的影响(2)

１９９７，２８９６—２９０５

【５】敖建平ＣＩＧＳ薄膜生长反应机理及工艺控制，南开大学博士论文，９５

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（Ｐｈｏｔｏ－ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＮａｎｋａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７１）

吸收层表面的镓含量及其分布对CIGS太阳电池性能的影响

作者：

作者单位：王赫， 刘芳芳， 孙云， 何青， 李凤岩， 周志强南开大学光电子与薄膜器件研究所,天津 300071

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1.期刊论文 王赫.刘芳芳.孙云.何青.张毅.李长健 Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响 -人工晶体学报2010,39(1)

本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se_2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布.随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压V_(oc)明显增大.同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流J_(sc)的损失,从而有效地提高了电池的转换效率.

本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_6880374.aspx

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下载时间：2011年3月17日

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