可控硅参数名词解释

 

晶闸管参数名词解释

1. 反向重复峰值电压(VRRM):反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压,包括所有的重复瞬态电压,但不包括所有的不重复瞬态电压。

注:反向重复峰值电压(VRRM)是可重复的,值大于工作峰值电压的最大值电压,如每个周期开关引起的毛疵电压。

2. 反向不重复峰值电压(VRSM):反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。

1) 测试目的:在规定条件下,检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。

2) 测试条件:a)结温:25℃和125℃; b)门极断路;c)脉冲电压波形:底宽近似10mS的正弦半波; d)脉冲重复频率:单次脉冲;e)脉冲次数:按有关产品标准规定;f)测试电压:反向不重复峰值电压

注:反向不重复峰值电压(VRSM)是外部因素偶然引起的,值一般大于重复峰值电压的最大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。

3. 通态方均根电流(IT(RMS)):通态电流在一个周期内的方均根值。

4. 通态平均电流(IT(AV)):通态电流在一个周期内的平均值。

5. 浪涌电流(ITSM):一种由于电路异常情况(如故障)引起的,并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。

1)测试目的:在规定条件下,检验晶闸管的通态(不重复)浪涌电流额定值。

2)测试条件:a)浪涌前结温:125℃;b)反半周电压:80%反向重复峰值电压;d)每次浪涌的周波数:一个周波,其导通角应在160度至180度之间

6. 通态电流临界上升率(di/dt):在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。

1)测试目的:在规定条件下,检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。

2)测试条件:a)加通态电流前结温: 125℃;b)门极触发条件:IGM =3~5IGT;c)开通前断态电压VDM=2/3VDRM ;d)开通后通态电流峰值:2 IT(AV)~3IT(AV); e)t1≥1us;f)重复频率:50HZ;g)通态电流持续时间:5s。

7. I2t值:浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。

1) 测试目的:在规定条件下,检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值

2) 测试条件:a)浪涌前结温:125℃;b)浪涌电流波形:正弦半波;

3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波(1-10ms范围)的一种不重复浪涌电流测试。通过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt,即可求得I2t值。

8. 门极平均值耗散功率(PG(AV)):在规定条件下,门极正向所允许的最大平均功率。

1) 测试目的:在规定条件下,检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值

2) 测试条件:a)结温:125℃;b)门极功率:额定门极平均功率;c)测试持续时间:3S;d)主电路条件:阳,阴极间断路。

3) 测量程序:a)被测器件加热到规定结温;b)从零缓慢调整电源的输出,使电流表和电压表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG(AV),并保持3S时间,然后将电源的输出调回零;c)测试后,进行门极触发电流和电压测量,如无异常,则PG(AV)额定值得到确认。

9. 反向重复峰值电流(IRRM):晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。

10. 断态重复峰值电流(IDRM):晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。

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