有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定(3)

 

报,2012,61(14):14780-1-5.

[10]MATSUSHIMAT,KINOSHITAY,MURATAH.Forma—

tion

ofOhmicholeinjectionbyinserting∞ultrathinlayerof

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tin

oxideandorganic

hole-transposing

layers口]。ApplPbys

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有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定

作者:

作者单位:吴有智, 马继晶, 张运虎, 张材荣, 张定军, WU You-zhi, MA Ji-jing, ZHANG Yun-hu,ZHANG Cai-rong, ZHANG Ding-jun吴有智,马继晶,张运虎,张定军,WU You-zhi,MA Ji-jing,ZHANG Yun-hu,ZHANG Ding-jun(省部共建有色

金属先进加工与再利用国家重点实验室,甘肃兰州 730050;兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃兰州

730050), 张材荣,ZHANG Cai-rong(兰州理工大学理学院,甘肃兰州,730050)

兰州理工大学学报

Journal of Lanzhou University of Technology

2014,40(4)刊名:英文刊名:年,卷(期):

本文链接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gsgydx201404021.aspx

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